发明专利：一种非易失性三维半导体存储器及其制备方法

发明人：缪向水；钱航；童浩

专利号：ZL 201410471285.7

专利权人：华中科技大学

证书号：2463198

简介：本发明公开了一种非易失性三维半导体存储器及其制备方法，采用浮栅晶体管作为存储单元，采用硫系化合物作为沟道材料，存储单元采用围栅结构，并且沟道区域与源漏区域采用同种材料，形成无结结构。这种采用硫系化合物材料做沟道材料的三维存储结构，采用垂直沟道结构，沟道采用光刻后再沉积的工艺制备，这种结构具备垂直方向上沟道以及水平方向的栅电极结构，并且栅结构垂直方向自下而上堆叠。

特此公示，公示期10日，自2018年5月16日至2018年5月29日。如有异议，请于公示期内以书面形式实名向我办反映。

联系人：陈世英

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