根据《华中科技大学科技成果转化管理办法》规定，对“三维相变存储器知识产权组”成果转化相关事项公示如下：
一、成果名称及简介：
该成果包含如下93项知识产权：
（1）发明专利：一种相变随机存储器
发明人：缪向水、王嘉慧、韩武豪
专利号：ZL200810197658.0
专利权人：华中科技大学
（2）发明专利：用于相变存储器的硅掺杂的铋碲基存储材料及制备方法
发明人：程晓敏、鞠晨、缪向水
专利号：ZL201110325521.0
专利权人：华中科技大学
（3）发明专利：一种相变存储器芯片测试方法
发明人：李震、张乐、瞿力文、缪向水
专利号：ZL201110188355.4
专利权人：华中科技大学
（4）发明专利：一种相变存储单元阵列的测试装置
发明人：缪向水、瞿力文、张乐、彭菊红、李震
专利号：ZL201110188352.0
专利权人：华中科技大学
（5）发明专利：相变存储器芯片的封装方法
发明人：缪向水、李震、陈伟、瞿力文
专利号：ZL201110405543.8
专利权人：华中科技大学
（6）发明专利：相变存储器单元的脉冲I-V特性测试方法和装置
发明人：缪向水、李震、陈伟、彭菊红、邓宇帆
专利号：ZL201210154941.1
专利权人：华中科技大学
（7）发明专利：一种相变存储器单元高速擦写测试系统
发明人：缪向水、李震、黄冬其
专利号：ZL201210001014.6
专利权人：华中科技大学
（8）发明专利：一种模拟生物神经突触的单元、装置及方法
发明人：缪向水、李祎、钟应鹏、许磊、孙华军
专利号：ZL201310001907.5
专利权人：华中科技大学
（9）发明专利：一种模拟生物神经元和神经突触的单元、装置及方法
发明人：缪向水、李祎、钟应鹏、许磊、孙华军
专利号：ZL201310001461.6
专利权人：华中科技大学
（10）发明专利：一种短时与长时存储器件及存储方法
发明人：缪向水、李祎、钟应鹏、许磊、孙华军、徐小华
专利号：ZL201310015283.2
专利权人：华中科技大学
（11）发明专利：一种基于相变存储器的非易失性逻辑门电路
发明人：缪向水、李祎、钟应鹏、许磊、孙华军、程晓敏
专利号：ZL201310727395.0
专利权人：华中科技大学
（12）美国发明专利：NONVOLATILE LOGIC GATE CIRCUIT BASED ON PHASE CHANGE MEMORY
发明人：缪向水、李祎、钟应鹏、许磊、孙华军、程晓敏
专利号：US9369130
专利权人：华中科技大学
（13）美国发明专利：JOINT SHORT-TIME AND LONG-TIME STORAGE DEVICE AND STORAGE METHOD THEREOF
发明人：缪向水、李祎、钟应鹏、许磊、孙华军、徐小华
专利号：US9418733
专利权人：华中科技大学
（14）美国发明专利：MULTI-LAYER PHASE CHANGE MATERIALS
发明人：缪向水、童浩、程晓敏
专利号：US9543510
专利权人：华中科技大学
（15）美国发明专利：NON-VOLATILE LOGIC DEVICE BASED ON PHASE-CHANGE MAGNETIC MATERIALS AND LOGIC OPERATION METHOD THEREOF
发明人：缪向水、李祎、钟应鹏
专利号：US9543955
专利权人：华中科技大学
（16）发明专利：一种基于相变磁性材料的非易失性逻辑器件及逻辑操作方法
发明人：缪向水、李祎、钟应鹏
专利号：ZL 201410039670.4
专利权人：华中科技大学
（17）发明专利：一种低热导率的多层相变材料
发明人：缪向水、童浩、程晓敏
专利号：ZL 201010595047.9
专利权人：华中科技大学
（18）发明专利：一种精确控制微纳尺寸相变材料非晶化率连续变化的方法
发明人：李震、缪向水、何强、邓宇帆、周伟、缪颖
专利号：ZL 201310698161.8
专利权人：华中科技大学
（19）发明专利：一种精确控制微纳尺寸相变材料非晶化率连续变化的方法
发明人：李震、缪向水、何强、邓宇帆、周伟、缪颖
专利号：ZL201310698161.8
专利权人：华中科技大学
（20）发明专利：一种相变存储器热串扰测试方法
发明人：李震、刘畅、赖志博、缪向水、程晓敏
专利号：ZL201410256649.X
专利权人：华中科技大学
（21）发明专利：基于数字双向脉冲对相变存储单元非晶态和晶态剪裁的方法
发明人：李震、孟祥如
专利号：ZL201510462748.8
专利权人：华中科技大学
（22）发明专利：一种三维存储器及其制备方法
发明人：缪向水、颜柏寒、童浩、闫鹏
专利号：ZL201510816435.8
专利权人：华中科技大学
（23）发明专利：一种基于磁场触发的超晶格相变单元的逻辑门电路
发明人：程晓敏、陆彬、冯金龙、缪向水
专利号：ZL201610165799.9
专利权人：华中科技大学
（24）发明专利：一种芯片的封装方法及封装结构
发明人：童浩、戴一帆、缪向水、程晓敏
专利号：ZL201711400343.7
专利权人：华中科技大学
（25）发明专利：一种相变存储裸阵列的选址系统
发明人：程晓敏、李佳灿、丁格格、刘畅、童浩、缪向水
专利号：ZL201610470708.2
专利权人：华中科技大学
（26）发明专利：一种基于VOx选通管的相变存储单元
发明人：缪向水、童浩、马立樊
专利号：ZL201710332675.X
专利权人：华中科技大学
（27）发明专利：一种Ge-Sb-C相变存储材料、其制备方法和应用
发明人：徐明、吴倩倩、缪向水
专利号：ZL201810097825.8
专利权人：华中科技大学
（28）发明专利：一种基于相变存储器实现双向数字运算的电路及方法
发明人：李震、张璠
专利号：ZL201610830916.9
专利权人：华中科技大学
（29）发明专利：一种含锗硫系化合物的电化学制备方法
发明人：童浩、孙雄图、缪向水
专利号：ZL201811506259.8
专利权人：华中科技大学
（30）发明专利：一种三维堆叠相变存储器及其制备方法
发明人：童浩、缪向水、沈裕山、蔡旺
专利号：ZL201811084770.3
专利权人：华中科技大学
（31）专利申请权：一种非对称环状微电极相变存储单元及器件
发明人：程晓敏、张瑾、马轩、余汉祥、顾伟、童浩、缪向水
申请号：201710192561.X
申请人：华中科技大学
（32）专利申请权：一种选通管器件及其制备方法
发明人：缪向水、林琪、童浩
申请号：201710902924.4
申请人：华中科技大学
（33）专利申请权：磁性原子掺杂的超晶格[GeTe/Sb2Te3]n材料及其相应调控方法
发明人：程晓敏、夏泽瑛、张瑾、冯金龙、童浩、缪向水
申请号：201711144962.4
申请人：华中科技大学
（34）专利申请权：一种模拟相变存储计算单元的电路模型
发明人：李震、赵瑞灏
申请号：201711142328.7
申请人：华中科技大学
（35）专利申请权：一种用于填充垂直硅通孔TSV的复合材料及其填充方法
发明人：程晓敏、陈高翔、宋夷斌、缪向水
申请号：201711329523.0
申请人：华中科技大学
（36）专利申请权：一种三维堆叠存储器及其制备方法
发明人：缪向水、童浩、沈裕山
申请号：201810541298.5
申请人：华中科技大学
（37）专利申请权：一种相变存储器的擦写方法
发明人：童浩、何明泽、缪向水
申请号：201810645253.2
申请人：华中科技大学
（38）专利申请权：一种选通管材料、选通管器件及其制备方法
发明人：童浩、何达、缪向水、林琪
申请号：201811488234.X
申请人：华中科技大学
（39）专利申请权：一种基于相变存储器实现二进制并行加法的方法及系统
发明人：李震、张浩、胡阳、缪向水
申请号：201910016687.0
申请人：华中科技大学
（40）专利申请权：一种调控材料中空位缺陷的方法
发明人：程晓敏、冯金龙、缪向水
申请号：201910095442.1
申请人：华中科技大学
（41）专利申请权：一种改善选通管器件性能的操作方法
发明人：缪向水、林琪、童浩
申请号：201910123619.4
申请人：华中科技大学
（42）专利申请权：一种选通管器件的预处理方法
发明人：童浩、何达、缪向水
申请号：201910293381.X
申请人：华中科技大学
（43）专利申请权：一种二维材料相变存储单元
发明人：程晓敏、温敏、吴文豪、缪向水
申请号：201910523441.2
申请人：华中科技大学
（44）专利申请权：一种Cr-Sb相变存储材料及其制备与应用
发明人：徐明、林俊、李博文、缪向水
申请号：201910734408.4
申请人：华中科技大学
（45）专利申请权：一种低密度变化相变材料和相变存储器及制备方法
发明人：缪向水、周凌珺、童浩
申请号：201910760406.2
申请人：华中科技大学
（46）专利申请权：一种高可靠性相变材料和相变存储器及制备方法
发明人：缪向水、周凌珺、童浩
申请号：201910759485.5
申请人：华中科技大学
（47）专利申请权：一种提高成品率的相变存储器及制备方法
发明人：缪向水、周凌珺、童浩
申请号：201910759489.3
申请人：华中科技大学
（48）专利申请权：一种选通管器件、存储器单元及制备方法
发明人：缪向水、林琪、童浩
申请号：201910765152.3
申请人：华中科技大学
（49）专利申请权：二维材料改良的超晶格相变薄膜、相变存储器及制备方法
发明人：程晓敏、冯金龙、吴文豪、缪向水
申请号：201910818242.4
申请人：华中科技大学
（50）专利申请权：一种三维超晶格相变存储阵列及其制备方法与应用
发明人：程晓敏、冯金龙、童浩、缪向水
申请号：201910818229.9
申请人：华中科技大学
（51）专利申请权：一种阈值电压可调的三端超晶格存算一体器及其制备方法
发明人：程晓敏、冯金龙、缪向水
申请号：201910818245.8
申请人：华中科技大学
（52）专利申请权：抗应力的超晶格相变存储单元、其制备方法与相变存储器
发明人：程晓敏、冯金龙、缪向水
申请号：201910816480.1
申请人：华中科技大学
（53）专利申请权：一种双向生长的超晶格相变单元的制备方法及相变存储器
发明人：程晓敏、冯金龙、缪向水
申请号：201910816518.5
申请人：华中科技大学
（54）专利申请权：相变合金材料、相变存储器及相变合金材料的制备方法
发明人：徐明、徐萌、缪向水
申请号：201910829462.7
申请人：华中科技大学
（55）专利申请权：Ga-Sb-O相变材料及其应用与制备方法
发明人：徐明、徐萌、缪向水
申请号：201910828813.2
申请人：华中科技大学
（56）专利申请权：In-Sn-Sb相变材料、相变存储器及In-Sn-Sb相变材料的制备方法
发明人：徐明、徐萌、缪向水
申请号：201910828790.5
申请人：华中科技大学
（57）专利申请权：Ti-Ga-Sb相变材料、相变存储器及Ti-Ga-Sb相变材料的制备方法
发明人：徐明、徐萌、缪向水
申请号：201910828785.4
申请人：华中科技大学
（58）专利申请权：一种三维堆叠相变存储器及其制备方法
发明人：童浩、蔡旺、缪向水
申请号：201910828704.0
申请人：华中科技大学
（59）专利申请权：一种多值相变存储器单元、逻辑电路及多进制运算方法
发明人：李震、余浩、缪向水、唐韬
申请号：201910834035.8
申请人：华中科技大学
（60）专利申请权：用于纳米级相变存储器单元的水平电极配置结构
发明人：马平、童浩、缪向水
申请号：201910906738.7
申请人：华中科技大学
（61）专利申请权：用于纳米级相变存储器单元的垂直电极配置结构
发明人：马平、童浩、缪向水
申请号：201910906709.0
申请人：华中科技大学
（62）专利申请权：用于纳米级相变存储器单元的新型电极配置结构
发明人：马平、童浩、缪向水
申请号：201910907575.4
申请人：华中科技大学
（63）专利申请权：纳米级相变存储器单元水平电极配置结构的制造使用方法
发明人：马平、童浩、缪向水
申请号：201910907571.6
申请人：华中科技大学
（64）专利申请权：纳米级相变存储器单元的垂直电极配置结构的加工方法
发明人：马平、童浩、缪向水
申请号：201910906751.2
申请人：华中科技大学
（65）专利申请权：纳米级相变存储器单元新型电极配置结构的加工使用方法
发明人：201910906752.7
申请号：马平、童浩、缪向水
申请人：华中科技大学
（66）专利申请权：一种对相变存储器单元相变能力的快速检测方法
发明人：马平、童浩、缪向水
申请号：201910906710.3
申请人：华中科技大学
（67）专利申请权：用覆盖层的界面效应调控相变材料晶化阈值的方法
发明人：马平、童浩、缪向水
申请号：201910906740.4
申请人：华中科技大学
（68）专利申请权：一种相变材料的性能获取方法、终端设备和计算机可读介质
发明人：马平、童浩、缪向水
申请号：201910943144.3
申请人：华中科技大学
（69）专利申请权：一种基于VOx选通管的相变存储单元
发明人：缪向水、童浩、马立樊
申请号：PCT/CN2018/085935
申请人：华中科技大学
（70）专利申请权：一种选通管器件及其制备方法
发明人：缪向水、林琪、童浩
申请号：PCT/CN2018/090244
申请人：华中科技大学
（71）专利申请权：一种三维堆叠存储器及其制备方法
发明人：缪向水、童浩、沈裕山
申请号：PCT/CN2018/099519
申请人：华中科技大学
（72）专利申请权：一种相变存储器的擦写方法
发明人：童浩、何明泽、缪向水
申请号：PCT/CN2018/099520
申请人：华中科技大学
（73）专利申请权：一种三维堆叠相变存储器及其制备方法
发明人：童浩、缪向水、沈裕山、蔡旺
申请号：PCT/CN2018/118146
申请人：华中科技大学
（74）专利申请权：一种选通管器件的预处理方法
发明人：童浩、何达、缪向水
申请号：PCT/CN2019/095696
申请人：华中科技大学
（75）专利申请权：一种改善选通管器件性能的方法
发明人：缪向水、林琪、童浩
申请号：PCT/CN2019/096066
申请人：华中科技大学
（76）专利申请权：一种三维堆叠相变存储器及其制备方法
发明人：童浩、缪向水、蔡旺
申请号：PCT/CN2019/107182
申请人：华中科技大学
（77）专利申请权：一种铁电相变混合存储单元、存储器及操作方法
发明人：缪向水、王校杰、童浩
申请号：2019108096293
申请人：华中科技大学
（78）专利申请权：一种基于三维相变存储器的3D卷积运算装置及方法
发明人：童浩、胡庆、何毓辉、缪向水
申请号：2019109942557
申请人：华中科技大学
（79）专利申请权：一种使用电化学沉积进行相变存储单元集成的方法
发明人：徐明、徐开朗、缪向水、童浩、万代兴
申请号：201910996019.9
申请人：华中科技大学
（80）专利申请权：基于电化学沉积的深孔超晶格填充方法
发明人：童浩、万代兴、缪向水、徐开朗
申请号：201910994998.4
申请人：华中科技大学
（81）专利申请权：一种三维存储器及其读取方法
发明人：童浩、蔡旺、缪向水、何达
申请号：2019111276732
申请人：华中科技大学
（82）专利申请权：一种高密度的相变存储器三维集成电路结构的制备方法
发明人：童浩、林琪、王伦、缪向水
申请号：2019111029256
申请人：华中科技大学
（83）专利申请权：一种高密度的相变存储器三维集成电路结构
发明人：童浩、林琪、王伦、缪向水
申请号：2019111019470
申请人：华中科技大学
（84）专利申请权：SELECTOR DEVICE AND METHOD OF MAKING THE SAME
发明人：缪向水、林琪、童浩
申请号：16655191
申请人：华中科技大学
（85）专利申请权：PHASE-CHANGE MEMORY CELL
发明人：缪向水、童浩、马立樊
申请号：16679355
申请人：华中科技大学
（86）专利申请权：一种相变材料纳米线组装、测试装置及方法
发明人：李震、胡阳、缪向水
申请号：201911047936.9
申请人：华中科技大学
（87）专利申请权：一种具有新型结构与材料的VOx选通管
发明人：童浩、林琪、王伦、缪向水
申请号：201911046660.2
申请人：华中科技大学
（88）专利申请权：一种具有新型结构与材料的选通管的制备方法
发明人：童浩、王伦、林琪、缪向水
申请号：201911046710.7
申请人：华中科技大学
（89）专利申请权：一种具有新型材料和结构的选通管
发明人：童浩、林琪、王伦、缪向水
申请号：201911046676.3
申请人：华中科技大学
（90）专利申请权：一种具有新型结构与材料的VOx选通管的制备方法
发明人：童浩、王伦、林琪、缪向水
申请号：201911046644.3
申请人：华中科技大学
（91）专利申请权：一种掺杂的Ge-Sb相变材料、相变存储器及其制备方法
发明人：徐明、李博文、缪向水
申请号：201911046637.3
申请人：华中科技大学
（92）专利申请权：用于提高非晶材料无序性的间歇磁控溅射方法
发明人：缪向水、何超、童浩
申请号：201910969641.0
申请人：华中科技大学
（93）专利申请权：低密度变化的超晶格相变薄膜、相变存储器及其制备方法
发明人：程晓敏、冯金龙、徐明、徐萌、缪向水
申请号：201911033437.4
申请人：华中科技大学
简介：存储器长期占据全球集成电路产业市场的最大份额，是制约我国信息产业安全的关键“卡脖子”芯片。该成果围绕具有良好产业化前景的下一代存储器技术——三维相变存储器展开研究，共形成93项知识产权，其中授权美国发明专利4项、授权中国发明专利26项、发明专利申请63项。
二、拟交易价格
普通许可：300万元
三、价格形成过程
经全体发明人同意，并与拟受让公司协商，双方同意该成果以协议定价300万元实施普通许可，许可期限为自合同签订之日起至2022年12月31日。
特此公示，公示期15日，自2019年12月5日起至2019年12月19日。如有异议，请于公示期内以书面形式实名向我办反映。
联系人：臧老师
联系电话：027-87540925
科技成果转化办公室
